|
CV5802
|
概述:CV5802是一款低壓側(cè)過壓保護(hù)芯片，內(nèi)部集成28毫歐低內(nèi)阻NMOS開關(guān)，有效降低輸入電壓壓降。CV5802過壓保護(hù)電壓可通過外部FB分壓電阻調(diào)節(jié)，輸入耐壓達(dá)30V。
|
|
CV5801
|
概述是一款低壓側(cè)過壓保護(hù)芯片，內(nèi)部集成28毫歐低內(nèi)阻NMOS開關(guān)，有效降低輸入電壓壓降。過壓保護(hù)電壓可通過外部FB分壓電阻調(diào)節(jié)，輸入耐壓達(dá)30V。
|
|
CP2139
|
The CP2139 series is a CMOS step-up switching regulator which mainly consists of a reference voltage source, an oscillation circuit, an error amplifier, a phase compensation circuit, a PWM/PFM switching control circuit. With an external low-ON-resistance Nch Power MOS, this product is applicable to applications requiring high efficiency and high output current. The CP2139 series switches its opera
|
|
CP3608
|
CP3608是一款微小型、高效率、升壓型DC/DC調(diào)整器。電路由電流模PWM控制環(huán)路，誤差放大器，斜波補(bǔ)償電路，比較器和功率開關(guān)等模塊組成。該芯片可在較寬負(fù)載范圍內(nèi)高效穩(wěn)定的工作，內(nèi)置一個4A的功率開關(guān)和軟啟動保護(hù)電路。高達(dá)93％的轉(zhuǎn)換效率能夠高效的延長電池壽命?？梢酝ㄟ^調(diào)整兩個外加電阻來設(shè)定輸出電壓。
|
|
CP870
|
產(chǎn)品概述: CP870系列產(chǎn)品是一款低功耗、高效率、低紋波、工作頻率高的 PFM 控制升壓DC-DC 變換器。 CP870系列產(chǎn)品僅需要3個外部元器,即可完成低輸入的電池電壓輸入。
|
|
CP3470
|
General Description CP3470 is a fully integrated, high– efficiency 2A synchronous rectified step-down converter. The CP3470 operates at high efficiency over a wide output current load range. This device offers two operation modes, PWM control and PFM Mode switching control, which allows a high efficiency over the wider range of the load.
|
|
CHA254S92
|
概述?CHA254S92是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254S92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254S92使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254S92使用插件TO-92S封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。
|
|
CHA254S55
|
CHA254S55是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254S55內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254S55使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254S55使用縮小型貼片SOT-553封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。
|
|
CHA254N92
|
CHA254N92是一顆微功耗、高靈敏度N極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254N92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254N92使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254N92使用插件TO-92S封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。
|
|
CHA254N
|
概述?CHA254N是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開關(guān)傳感裝置。CHA254N內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA254N使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA254N使用縮小型貼片SOT-23封裝，工作溫度范圍為-20~85°C。
|
|
CHA214
|
CHA214NS是一顆微功耗、高頻高靈敏度全極性、并具有閂鎖輸出的霍爾開關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開關(guān)。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品，如行動電話、無刷電機(jī)、筆記型電腦、PDA等。CHA214NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA214NS使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA214NS使用插件TO-92S封裝，工作溫度范圍為-40~150℃。
|
|
CHA205
|
CHA205NS是一顆高頻率、高靈敏度全極性、并具有閂鎖輸出的霍爾開關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開關(guān)。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品，如行動電話、無刷電機(jī)、筆記型電腦、PDA等。CHA205NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊、信號放大處理模塊、動態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級。由于CHA205NS使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。同時該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場優(yōu)勢。CHA205NS為SOT-23封裝，工作溫度范圍為-40~150℃。
|
|
CP118
|
該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計，內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，特別適合驅(qū)動線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成過溫保護(hù)，當(dāng)電路內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時，關(guān)斷負(fù)載電流。當(dāng)電路的結(jié)溫下降到預(yù)設(shè)溫度時，電路返回正常工作狀態(tài)；但電路不具有短路保護(hù)功能，當(dāng)輸出對地短路、輸出對電源短路、輸出端短路時易導(dǎo)致電路損壞，使用時應(yīng)避免發(fā)生短路，或者加入限流措施避免發(fā)生類似損壞。邏輯控制電源VCC與功率電源VDD內(nèi)部完全獨(dú)立，實(shí)際使用中應(yīng)分開布線，禁止將VCC與VDD直接接到一起，以防止VDD高壓對電路VCC端造成損傷。在電子鎖等應(yīng)用中，當(dāng)邏輯輸入信號INA\INB的高電平電壓大于2.4V時，VCC可以懸空。
|
|
CP1116H
|
該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用高可靠性功率管工藝，特別適合驅(qū)動線圈、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET，工作電壓范圍覆蓋2V到8V。27℃，VDD=6.5V條件下持續(xù)輸出電流達(dá)到0.8A，峰值輸出電流達(dá)到1A。該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計有芯片級溫度檢測電路，實(shí)時監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時(典型值150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號，關(guān)閉負(fù)載電流，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙、起火等嚴(yán)重**事故。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到**溫度后，才允許重新對功率管進(jìn)行控制。
|
|
CP3005M
|
概述:CP3005M是一款集成了鋰電池充電管理模塊、馬達(dá)輸出控制模塊和保護(hù)模塊的馬達(dá)驅(qū)動芯片，關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA。CP3005M充電電流為0.6A，輸出電流為1.2A，也可以通過外擴(kuò)PMOS管實(shí)現(xiàn)大于1.2A的應(yīng)用場合。
|
|
CP3006M
|
概述: CP3006M是一款集成了鋰電池充電管理模塊、馬達(dá)輸出控制模塊和保護(hù)模塊的馬達(dá)驅(qū)動芯片，關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA。 CP3006M充電電流可高達(dá)1A，輸出電流為1.6A，也可以通過外擴(kuò)PMOS管實(shí)現(xiàn)大于1.6A的應(yīng)用場合。
|
|
CP3006
|
概述:CP3006是一款多種模式可選的單芯片LED驅(qū)動控制芯片，集成了鋰電池充電管理模塊、LED功能控制模塊和保護(hù)模塊，關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA。 CP3006充電電流為1A，輸出電流為1.8A，也可以通過外擴(kuò)PMOS管實(shí)現(xiàn)大于1.8A的應(yīng)用場合。 CP3006通過FUN和FUNA引腳不同接法可以設(shè)定5種LED燈光循環(huán)模式。
|
|
CP3005
|
概述CP3005是一款多種模式輸出的單芯片LED驅(qū)動控制芯片，集成了鋰電池充電管理模塊、LED功能控制模塊和保護(hù)模塊，關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA。CP3005充電電流0.6A，輸出電流為1.2A，也可以通過外擴(kuò)PMOS管實(shí)現(xiàn)大于1.2A的應(yīng)用場合。CP3005燈光循環(huán)模式為100%、25%、爆閃、關(guān)閉，任何模式下長按進(jìn)入SOS模式。
|
|
LP78080
|
LP78080 是一顆專用于便攜式鋰電池小風(fēng)扇的驅(qū)動 芯片，集成了帶路徑管理的鋰電池充電管理功能，具 有充電、充滿及低電 LED 指示功能，可通過按鍵切換 三種檔位輸出的工作模式。 LP78080 是 以 線 性 方 式 進(jìn) 行 充 電，內(nèi)置固定500mA充電，包含涓流充電，恒流充電和恒壓充電全過程 的充電方式。芯片內(nèi)部集成 了按鍵防抖功能，以及多重保護(hù)功能，包括短路保護(hù)、 過溫保護(hù)、電池反接保護(hù)等功能，芯片端口設(shè)計了高 性能的 ESD 保護(hù)電路，使得該款芯片具有極高的可靠 性和穩(wěn)定性。同時 LP78080 應(yīng)用電路簡單，只需少量外圍電路便可實(shí)現(xiàn)便攜式鋰電充電風(fēng)扇完整方案，極大節(jié)省了系統(tǒng)的體積
|
|
CP_F001
|
CP_F001（ESOP-8）是一顆專用于便攜式鋰電池小風(fēng)扇的驅(qū)動芯片，芯片集成鋰電池充電管理、DC-DC 升壓、手電筒照明、風(fēng)量顯示及低電提醒、按鍵換擋、過流保護(hù)、短路保護(hù)等功能。
|
